金属氧化物膜的制造方法、金属氧化物膜、薄膜电晶体、显示装置、影像感测器及Ｘ射线感测器;METHOD OF PRODUCING METAL OXIDE FILM, METAL OXIDE FILM, THIN-FILM TRANSISTOR, DISPLAY DEVICE, IMAGE SENSOR, AND X-RAY SENSOR

摘要

本发明提供一种金属氧化物膜的制造方法及藉由该制造方法所制造的金属氧化物膜以及具备其的器件，所述金属氧化物膜的制造方法包括将以下步骤交替重复2次以上：将含有金属硝酸盐的溶液涂布于基板上，使涂布膜乾燥而形成金属氧化物前驱物膜的步骤；及将所述金属氧化物前驱物膜转化为金属氧化物膜的步骤；并且于将所述金属氧化物前驱物膜转化为所述金属氧化物膜的至少2次步骤中，将所述基板的最高到达温度设定为120℃以上、250℃以下，将所述金属氧化物前驱物膜转化为所述金属氧化物膜。; and a step of converting the metal oxide precursor film into a metal oxide film. In the repeated steps of converting the metal oxide precursor film into the metal oxide film, the highest reaching temperature of the substrate is set to be 120℃ or above and 250℃