发明名称 | 垂直双闸极电路结构 | ||
摘要 | |||
申请公布号 | TWI491025 | 申请公布日期 | 2015.07.01 |
申请号 | TW100134288 | 申请日期 | 2011.09.23 |
申请人 | 南亚科技股份有限公司 | 发明人 | 章正欣;陈逸男;刘献文 |
分类号 | H01L27/105;H01L27/108;G11C11/40;G11C11/401 | 主分类号 | H01L27/105 |
代理机构 | 代理人 | 冯博生 台北市松山区敦化北路201号7楼 | |
主权项 | 一种电路结构,包含:一半导体基板,具有一凹槽;一第一绝缘层,设置于该凹槽中;一底部导体,设置于该凹槽下半部,其中该底部导体经由复数个长垂直导体柱连结至一外部偏压;一顶部导体,设置于该凹槽上半部,其中该顶部导体连结至复数个短垂直导体柱,且该顶部导体的顶部表面高于该半导体基板的表面;以及一第二绝缘层,设置于该底部导体及该顶部导体中间;其中连结至该顶部导体的该复数个短垂直导体柱为连接至一字元线的第二导体柱,其经配置以将该顶部导体与该字元线之一第二电极电气相连。 | ||
地址 | 桃园市龟山区华亚科技园区复兴三路669号 |