发明名称 |
一种等离子体处理装置 |
摘要 |
一种等离子体处理装置,包括:反应腔,反应腔内包括一个基座,基座上设置有静电夹盘,待处理基片设置在所述静电夹盘上;一调节环围绕在所述静电夹盘外围,一个边缘补偿环围绕在所述基座或静电夹盘的外围,且位于调节环下方,其特征在于所述边缘补偿环内埋设有一个电极,一个功率分配电路通过第一、第二输入端接收第一和第二射频电源并通过第一输出端输出所述第一和第二射频电源到所述基座,同时通过第二输出端输出第一或第二射频电源到所述边缘补偿环内的电极,所述功率分配电路还包括一个第三输入端接收第一直流电压源,并通过所述第二输出端输出所述直流电压到所述边缘补偿环内的电极。 |
申请公布号 |
CN104752143A |
申请公布日期 |
2015.07.01 |
申请号 |
CN201310753338.X |
申请日期 |
2013.12.31 |
申请人 |
中微半导体设备(上海)有限公司 |
发明人 |
梁洁;叶如彬 |
分类号 |
H01J37/32(2006.01)I;H01J37/04(2006.01)I |
主分类号 |
H01J37/32(2006.01)I |
代理机构 |
上海智信专利代理有限公司 31002 |
代理人 |
王洁 |
主权项 |
一种等离子体处理装置,包括:反应腔,反应腔内包括一个基座,基座上设置有静电夹盘,待处理基片设置在所述静电夹盘上;一调节环围绕在所述静电夹盘外围,一个边缘补偿环围绕在所述基座或静电夹盘的外围,且位于调节环下方;其特征在于:所述边缘补偿环内埋设有一个电极;一个功率分配电路通过第一、第二输入端接收第一和第二射频电源并通过第一输出端输出所述第一和第二射频电源到所述基座,同时通过第二输出端输出第一或第二射频电源到所述边缘补偿环内的电极;所述功率分配电路还包括一个第三输入端接收第一直流电源,并通过所述第二输出端输出所述直流电压到所述边缘补偿环内的电极。 |
地址 |
201201 上海市浦东新区金桥出口加工区(南区)泰华路188号 |