| 发明名称 | 包含掩埋异质结构半导体光学放大器和光电检测器的单片集成结构 | ||
| 摘要 | 本发明揭示一种包含直埋异质结构半导体光学放大器的单片集成结构和包含此结构的深隆脊光学接收器。 | ||
| 申请公布号 | CN103154791B | 申请公布日期 | 2015.07.01 |
| 申请号 | CN201180047519.X | 申请日期 | 2011.09.27 |
| 申请人 | 阿尔卡特朗讯 | 发明人 | 莫汉德·阿克奥奇;克里斯托弗·凯洛德;吉纳维芙·格拉斯特·莱玛特;弗郎索瓦·莱朗吉;罗曼·布莱诺特 |
| 分类号 | G02B6/12(2006.01)I;H01S5/026(2006.01)I | 主分类号 | G02B6/12(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人 | 刘国伟 |
| 主权项 | 一种单片集成结构(1)，其包含包含有源波导的掩埋异质结构半导体光学放大器(2)、深隆脊光电检测器(3)和第一光学无源波导(5)，所述第一光学无源波导(5)经配置以将入射光注射到所述结构中；所述结构包含至少一个光斑尺寸转换器(4、6、9)，设置在所述第一光学无源波导(5)与光学无源过渡波导(8)之间，所述光学无源过渡波导(8)经配置以将所述光短暂耦合到所述光电二极管(3)的有源区域；所述半导体光学放大器(2)的所述有源波导借助于第二光斑尺寸转换器(6)耦合到第二光学无源波导(7)，并且所述第二光学无源波导(7)借助于第三光斑尺寸转换器(9)耦合到所述无源过渡波导(8)，从而阻止或实质性减少朝向所述半导体光学放大器的后向反射。 | ||
| 地址 | 法国巴黎 | ||