发明名称 具有氧化物薄膜晶体管的平板显示装置及其制造方法
摘要 公开了一种具有氧化物薄膜晶体管的平板显示装置及其制造方法。所述平板显示装置包括:基板;栅极线和数据线,所述栅极线和数据线在所述基板上形成为彼此交叉并限定多个像素区域;薄膜晶体管,所述薄膜晶体管形成在所述栅极线和数据线的交叉部处,并且每个薄膜晶体管都包括氧化物沟道层;像素电极和公共电极,所述像素电极和公共电极形成在所述像素区域中,并且在所述像素电极和公共电极之间具有钝化层;以及台阶覆盖补偿图案,所述台阶覆盖补偿图案形成在由所述栅极线和所述薄膜晶体管的栅极形成的台阶部处。
申请公布号 CN102983141B 申请公布日期 2015.07.01
申请号 CN201210241872.8 申请日期 2012.07.12
申请人 乐金显示有限公司 发明人 蔡志恩;李泰根
分类号 H01L27/12(2006.01)I;H01L21/77(2006.01)I 主分类号 H01L27/12(2006.01)I
代理机构 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 代理人 徐金国
主权项 一种具有氧化物薄膜晶体管的平板显示装置,所述平板显示装置包括:基板;栅极线和数据线,所述栅极线和数据线在所述基板上形成为彼此交叉并限定多个像素区域;所述薄膜晶体管,所述薄膜晶体管形成在所述栅极线与所述数据线的交叉部处,并且每个所述薄膜晶体管都包括氧化物沟道层;像素电极和公共电极,所述像素电极和所述公共电极形成在所述像素区域中,并且在所述像素电极与所述公共电极之间具有钝化层;以及台阶覆盖补偿图案,所述台阶覆盖补偿图案沿所述栅极线与所述薄膜晶体管的栅极形成,其中所述台阶覆盖补偿图案形成在所述栅极与所述薄膜晶体管的源极的交叉部、所述栅极与所述薄膜晶体管的漏极的交叉部、所述数据线与所述栅极线的交叉部以及所述漏极与所述栅极线的交叉部的至少一个交叉部处。
地址 韩国首尔
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