| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件，包括：布置在包括载流区和位于载流区两侧的终端区的n+型碳化硅衬底的第一表面上的第一n-型外延层；布置在第一n-型外延层上的p型外延层；布置在p型外延层上的第二n-型外延层；布置在载流区中的第一沟槽；布置在各个终端区中的第二沟槽；布置在第一沟槽中的栅极绝缘层；布置在栅极绝缘层上的栅电极；以及布置在第二沟槽中的终端绝缘层，其中终端绝缘层的一侧接触p型外延层和第二n-型外延层。 | ||
| 申请公布号 | CN104752505A | 申请公布日期 | 2015.07.01 |
| 申请号 | CN201410415577.9 | 申请日期 | 2014.08.21 |
| 申请人 | 现代自动车株式会社 | 发明人 | 千大焕;洪坰国;李钟锡;朴正熙;郑永均 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人 | 龙淳 |
| 主权项 | 一种半导体器件，其特征在于，包括：布置在包括载流区和位于所述载流区两侧的终端区的n+型碳化硅衬底的第一表面上的第一n‑型外延层；布置在所述第一n‑型外延层上的p型外延层；布置在所述p型外延层上的第二n‑型外延层；布置在所述载流区中的第一沟槽；布置在各个所述终端区中的第二沟槽；布置在所述第一沟槽中的栅极绝缘层；布置在所述栅极绝缘层上的栅电极；以及布置在所述第二沟槽中的终端绝缘层，其中所述终端绝缘层的一侧接触所述p型外延层和所述第二n‑型外延层。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||