用于嵌入式记忆体及逻辑技术之垂直电晶体装置;VERTICAL TRANSISTOR DEVICES FOR EMBEDDED MEMORY AND LOGIC TECHNOLOGIES

摘要

说明垂直电晶体装置。举例而言，在一实施例中，垂直电晶体装置包含：配置在基底上的磊晶源极半导体区；配置在源极半导体区上的磊晶通道半导体区；配置在通道半导体区上的磊晶汲极半导体区；以及，围绕半导体通道区的复数侧壁之闸极电极区。该等半导体区之其中至少一者的成份延着相对于基底的表面垂直之纵轴变化。