| 发明名称 | 半导体结构的形成方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底内具有掺杂区；对所述掺杂区进行激光离子注入工艺，所述激光离子注入工艺包括：对所述掺杂区进行离子注入，使所述掺杂区内具有掺杂离子；对所述掺杂区进行激光处理，以加热所述掺杂区，消除离子注入损伤。所形成的半导体结构性能改善。 | ||
| 申请公布号 | CN104752213A | 申请公布日期 | 2015.07.01 |
| 申请号 | CN201310745719.3 | 申请日期 | 2013.12.30 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 禹国宾 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底内具有掺杂区；对所述掺杂区进行激光离子注入工艺，所述激光离子注入工艺包括：对所述掺杂区进行离子注入，使所述掺杂区内具有掺杂离子；对所述掺杂区进行激光处理，以加热所述掺杂区，消除离子注入损伤。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||