| 发明名称 | 一种可自剥离的氮化物半导体材料生长方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种可自剥离的氮化物半导体材料生长方法，所述方法包括：步骤1，在氮化物生长衬底上涂覆混合有球形微粒物的胶体；步骤2，对涂覆得到的胶体层进行去球形微粒物处理，得到具有微形孔及微柱状的生长表层；步骤3，在所述生长表层上高温生长氮化物半导体材料，并在生长结束降温时得到自剥离的氮化物半导体材料。本发明所述自剥离实现方法避免了激光剥离等方法易出现损伤，工艺可控性差等问题，便于商业推广。 | ||
| 申请公布号 | CN102723260B | 申请公布日期 | 2015.07.01 |
| 申请号 | CN201210199390.0 | 申请日期 | 2012.06.18 |
| 申请人 | 中国电子科技集团公司第四十六研究所 | 发明人 | 杨丹丹;徐永宽;张嵩;程红娟;李晖 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 工业和信息化部电子专利中心 11010 | 代理人 | 梁军 |
| 主权项 | 一种可自剥离的氮化物半导体材料生长方法，其特征在于，包括：步骤1，在氮化物生长衬底上涂覆混合有球形微粒物的胶体；步骤2，对涂覆得到的胶体层进行去球形微粒物处理，得到具有微形孔及微柱状的生长表层；步骤3，在所述生长表层上高温生长氮化物半导体材料，并在生长结束降温时得到自剥离的氮化物半导体材料。 | ||
| 地址 | 300220 天津市河西区洞庭路26号 | ||