发明名称 用于增加记忆体密度之方法、结构及装置
摘要
申请公布号 TWI491024 申请公布日期 2015.07.01
申请号 TW099137688 申请日期 2010.11.02
申请人 美光科技公司 发明人 唐 珊D;查胡瑞 约翰K
分类号 H01L27/102;H01L21/8229;H01L27/24 主分类号 H01L27/102
代理机构 代理人 陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项 一种非挥发性记忆体装置,其包含:在一基板上之复数个电晶体,该复数个电晶体中之每一电晶体电耦合至一字线及一位元线;在该复数个电晶体上之复数个记忆体串,该复数个记忆体串中之每一记忆体串包含复数个二极体;一电极,其将该复数个记忆体串中之至少两个记忆体串连接至该复数个电晶体中之至少一个电晶体,该复数个二极体配置于沿该电极之一长度间隔之位置处;在该复数个二极体与该电极之间的至少一个介电障壁材料;及在该复数个记忆体串中之至少另两个记忆体串之间且与该至少另两个记忆体串电绝缘的一介电材料。
地址 美国