发明名称 |
具有双面场板的晶体管元件及其制造方法 |
摘要 |
本发明公开一种具有双面场板的晶体管元件及其制造方法,该晶体管元件包括外延堆叠层、源极、漏极、栅极、第一场板以及第二场板。外延堆叠层具有第一表面与第二表面。源极、漏极与栅极位于外延堆叠层上,且栅极位于源极与漏极之间。第一场板位于外延堆叠层的第一表面的一侧,电性连接源极,且覆盖于栅极上方并延伸至栅极与漏极之间。第二场板位于外延堆叠层的第二表面的一侧,电性上述连接源极,且至少延伸覆盖栅极与漏极之间的外延堆叠层上方。 |
申请公布号 |
CN102856361B |
申请公布日期 |
2015.07.01 |
申请号 |
CN201110228914.X |
申请日期 |
2011.08.10 |
申请人 |
财团法人工业技术研究院 |
发明人 |
郭威宏;林素芳;宣融 |
分类号 |
H01L29/40(2006.01)I;H01L29/778(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/335(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/40(2006.01)I |
代理机构 |
北京市柳沈律师事务所 11105 |
代理人 |
陈小雯 |
主权项 |
一种具有双面场板的晶体管元件,包括:外延堆叠层,包括第一表面、第二表面;源极、漏极以及栅极,位于该第一表面上,其中该栅极位于该源极与该漏极之间;第一场板,位于该第一表面的一侧,与该源极、该漏极以及该栅极不同平面,该第一场板电性连接该源极,覆盖该栅极并延伸至该栅极与该漏极之间;以及第二场板,位于该第二表面的一侧,电性连接该源极。 |
地址 |
中国台湾新竹县 |