| 发明名称 | 一种半绝缘GaN薄膜及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半绝缘GaN薄膜及其制备方法，该方法包括准备衬底，采用金属有机化学气相沉积的方法在衬底上生长缓冲层，在缓冲层上生长氮化镓模板，在氮化镓模板上生长碳掺杂的半绝缘氮化镓薄膜层。通过该方法制备的半绝缘氮化镓品质高、纯度高，对杂质的记忆效应小，绝缘性能好，并能有效的减少漏电流。 | ||
| 申请公布号 | CN104752162A | 申请公布日期 | 2015.07.01 |
| 申请号 | CN201410057141.7 | 申请日期 | 2014.02.20 |
| 申请人 | 江西省昌大光电科技有限公司 | 发明人 | 陈振 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L29/207(2006.01)I;H01L21/335(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 代理人 | ||
| 主权项 | 一种半绝缘GaN薄膜的制备方法，包括准备衬底，采用金属有机化学气相沉积的方法在衬底上生长缓冲层，在缓冲层上生长氮化镓模板，在氮化镓模板上生长氮化镓薄膜层，其特征在于所述氮化镓薄膜层为碳掺杂的半绝缘氮化镓薄膜层。 | ||
| 地址 | 330096 江西省南昌市高新区艾溪北路699号 | ||