发明名称 资料写入方法、记忆体控制电路单元与记忆体储存装置;DATA WRITING METHOD, MEMORY CONTROL CIRCUIT UNIT AND MEMORY STORAGE APPARATUS
摘要 本发明提出一种资料写入方法、记忆体控制电路单元与记忆体储存装置。本方法包括将实体抹除单元至少分割为暂存区与闲置区。本方法还包括动态地从暂存区或闲置区的实体抹除单元之中提取多个实体抹除单元作为对应一逻辑单元的暂存实体抹除单元组;及仅以单页模式使用此些暂存实体抹除单元来写入欲储存至此逻辑单元的更新资料。基此,本方法可有效地避免因为暂存区的实体抹除单元老化且被继续使用做为资料暂存所导致的资料错误并可提升写入资料的速度与可靠度。
申请公布号 TW201526006 申请公布日期 2015.07.01
申请号 TW102148519 申请日期 2013.12.26
申请人 群联电子股份有限公司 PHISON ELECTRONICS CORP. 发明人 林纬 LIN, WEI;罗健龙 LOW, CHENG-LONG;刘建业 LAU, KIANG-GIAP
分类号 G11C16/14(2006.01) 主分类号 G11C16/14(2006.01)
代理机构 代理人 詹铭文叶璟宗
主权项
地址 苗栗县竹南镇群义路1号 TW