记忆体单元、非挥发性记忆体阵列、操作记忆体单元之方法、读取及写入记忆体单元之方法、及程式化记忆体单元之方法

主权项

一种程式化包括一对对置导电电极之一记忆体单元之方法，该对对置导电电极具有接纳于其间之电阻可切换材料，该方法包括：沿一主要横向定向之方向穿过该电阻可切换材料施加一电场以致使该电阻可切换材料内之活动掺杂剂朝向或远离该电阻可切换材料之对置横向边缘中之一者横向移动而改变该对电极之间的电阻，该电阻可切换材料在该所施加之电场移除之后保留该经改变之电阻。