发明名称 |
一种MOSFET桥电路 |
摘要 |
本实用新型涉及通信技术领域,特别涉及一种MOSFET桥电路,电位提取电路、MOS管驱动电路、第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管及第二NMOS管。所述电位提取电路与所述MOS管驱动电路连接,所述MOS管驱动电路分别与所述第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管及第二NMOS管连接。本实用新型提供的MOSFET桥电路,结构简单、容易实现大规模量产,能够降低功耗和减小发热量。 |
申请公布号 |
CN204442189U |
申请公布日期 |
2015.07.01 |
申请号 |
CN201520149273.2 |
申请日期 |
2015.03.16 |
申请人 |
博为科技有限公司 |
发明人 |
何茂平;李汝虎;蔡舒宏 |
分类号 |
H02M7/217(2006.01)I |
主分类号 |
H02M7/217(2006.01)I |
代理机构 |
北京华沛德权律师事务所 11302 |
代理人 |
刘杰 |
主权项 |
一种MOSFET桥电路,其特征在于,包括:电位提取电路、MOS管驱动电路、第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管及第二NMOS管;所述电位提取电路设置有正极电源输入端口、负极电源输入端口、高电位提取输出端口及低电位提取输出端口;所述MOS管驱动电路上设置有高电位输入端口、低电位输入端口、第一PMOS管栅极驱动端口、第一PMOS管源极驱动端口、第二PMOS管栅极驱动端口、第二PMOS管源极驱动端口、第一NMOS管栅极驱动端口、第一NMOS管源极驱动端口、第二NMOS管栅极驱动端口及第二NMOS管源极驱动端口;所述高电位提取输出端口与所述高电位输入端口连接;所述低电位提取输出端口与所述低电位输入端口连接;所述第一PMOS管栅极驱动端口与所述第一PMOS管的栅极连接;所述第一PMOS管源极驱动端口与所述第一PMOS管的源极连接;所述第二PMOS管栅极驱动端口与所述第二PMOS管的栅极连接;所述第二PMOS管源极驱动端口与所述第二PMOS的源极连接;所述第一NMOS管栅极驱动端口与所述第一NMOS管的栅极连接;所述第一NMOS管源极驱动端口与所述第一NMOS管的源极连接;所述第二NMOS管栅极驱动端口与所述第二NMOS管的栅极连接;所述第二NMOS管源极驱动端口与所述第二NMOS管的源极连接;所述第一PMOS管的漏极与所述第二PMOS管的漏极连接形成PoE电源正极输出端;所述第一NMOS管的漏极与所述第二NMOS管的漏极连接形成PoE电源负极输出端。 |
地址 |
314000 浙江省嘉兴市南湖区亚太路522号2幢307室 |