| 摘要 |
본 발명은 레지스트 용제 및 수지에 대한 용해성(상용성)이 충분히 높고, 보존 안정성이 양호하고, PED 안정성이 있으며, 촛점 심도가 보다 넓고, 감도가 양호하고, 특히 해상성과 패턴 프로파일 형상이 우수한 화학 증폭형 레지스트 재료를 제공하는 화학 증폭형 레지스트 재료용으로서 효과적인 신규 술폰산염과 광산발생제 및 이것을 이용한 레지스트 재료, 포토마스크 블랭크 및 패턴 형성 방법을 제공한다. 본 발명은 하기 화학식 2로 표시되는 술폰산염을 제공한다. <화학식 2>(식 중, R은 헤테로 원자를 포함할 수도 있는 탄소수 1 내지 50의 직쇄상, 분지상 또는 환상의 1가 탄화수소기를 나타내고, M는 양이온을 나타낸다.) |
