一种写余量控制电路

摘要

本发明提供了一种写余量控制电路，包括时序电路、普通字线驱动电路、虚拟字线驱动电路、信号产生电路，还包括控制电路，其中，控制电路包括至少两个调整管，每个调整管串接在外接电源Vcc与虚拟字线驱动电路中的第一P型MOS管的源极之间，通过控制所述调整管的开关状态，控制虚拟字线驱动电路的输出端的电压变化，当所述虚拟字线驱动电路的输出端的电压达到所述信号产生电路的阈值电压时，所述信号产生电路产生周期结束信号，结束写操作。本申请能够通过调节不同调整管的开启和关断状态，进而调节虚拟字线驱动电路的输出端的电压，进而控制写周期的余量，实现了当静态随机存储器模块列数目较大时，延时t1满足所有存储单元的写入需求。

主权项

一种写余量控制电路，包括时序电路、普通字线驱动电路、虚拟字线驱动电路、信号产生电路，其特征在于，还包括控制电路，所述虚拟字线驱动电路包括：第一P型MOS管、第一N型MOS管，所述第一P型MOS管的漏极与所述第一N型MOS管的漏极相连，所述第一N型MOS管的源极接地，所述第一P型MOS管的栅极与所述第一N型MOS管的栅极相连，所述第一P型MOS管的漏极作为所述虚拟字线驱动电路的输出端；所述控制电路包括至少两个调整管，每个所述调整管串接在外接电源Vcc与所述第一P型MOS管的源极之间，通过控制所述调整管的开关状态，控制所述虚拟字线驱动电路的输出端的电压变化，当所述虚拟字线驱动电路的输出端的电压达到所述信号产生电路的阈值电压时，所述信号产生电路产生周期结束信号，其中所述控制电路中的调整管为P型MOS管或者为N型MOS管；所述普通字线驱动电路包括：第二P型MOS管、第二N型MOS管，所述第二P型MOS管的漏极与所述第二N型MOS管的漏极相连，所述第二N型MOS管的源极接地，所述第二P型MOS管的栅极与所述第二N型MOS管的栅极相连。