具有欧姆接触电极的半绝缘GaAs光电导天线

摘要

具有欧姆接触电极的半绝缘GaAs光电导天线，包括半绝缘砷化镓基片，半绝缘砷化镓基片上为正、负两个AuGeNi合金电极，半绝缘砷化镓基片可视为阻值较大的电阻R_GaAs，两个AuGeNi合金电极可视为两个阻值较小的电阻R_Ohm，电阻R_GaAs与两个电阻R_Ohm串联，R_Ohm＜＜R_GaAs。本发明通过天线电极的欧姆接触，增加了光电导天线的击穿电场，同时使天线中的电场分布基本或全部覆盖了整个电极间隙，随着单位面积的光生载流子密度的减小，库伦屏蔽效应和辐射场屏蔽效应得到了有效的控制，提高了天线的发射效率。相较于传统的光电导天线，本发明具有AuGeNi合金欧姆接触电极光电导天线的辐射效率和辐射功率得到了显著的提高。

主权项

具有欧姆接触电极的半绝缘GaAs光电导天线，其特征在于：包括半绝缘砷化镓基片，半绝缘砷化镓基片上为正、负两个AuGeNi合金电极，半绝缘砷化镓基片可视为阻值较大的电阻R_GaAs，两个AuGeNi合金电极可视为两个阻值较小的电阻R_Ohm，电阻R_GaAs与两个电阻R_Ohm串联，R_Ohm＜＜R_GaAs，电阻R_GaAs的阻值为从几兆欧到几百兆欧，R_Ohm的阻值小于1欧姆；所述半绝缘砷化镓基片是利用液拉直封法制备的(100)晶向的SI‑GaAs，其电阻率高于10⁷Ω·cm；AuGeNi合金电极是通过电子束蒸发或磁控溅射在半绝缘砷化镓基片上分别沉积20‑100nm的Ni，50‑500nm的Au，20‑100nm的Ge和50‑100nm的Au，再在300℃‑400℃的温度范围内快速退火使其合金化。