发明名称 |
一种用于氢气传感器的镁合金薄膜及其制备方法 |
摘要 |
本发明公开了一种用于氢气传感器的镁合金薄膜及其制备方法,所述的镁合金薄膜包括由下至上依次设置的基片、镁合金薄膜材料层、催化层和保护层。该薄膜的制备包括:对基片进行表面清洁预处理;采用直流磁控溅射法在经步骤a)预处理后的基片上依次沉积镁合金薄膜材料层和催化层;采用旋涂法在步骤b)得到的催化层上涂覆保护层。由本发明获得的氢气传感器在常温下即可使用,且响应速度快、灵敏度高、响应的浓度范围广,可反复使用;尤其是,所得氢气传感器不仅对氢气具有传感性,对氢气的同位素气体也同样具有传感性;另外,所得传感器还具有成本低,实用范围广,既可以薄膜电阻值作为传感信号,又可以薄膜透光率值作为传感信号等优点。 |
申请公布号 |
CN104730114A |
申请公布日期 |
2015.06.24 |
申请号 |
CN201310705198.9 |
申请日期 |
2013.12.19 |
申请人 |
中国科学院上海硅酸盐研究所 |
发明人 |
金平实;郭雨;包山虎 |
分类号 |
G01N27/04(2006.01)I;B32B33/00(2006.01)I |
主分类号 |
G01N27/04(2006.01)I |
代理机构 |
上海海颂知识产权代理事务所(普通合伙) 31258 |
代理人 |
何葆芳 |
主权项 |
一种用于氢气传感器的镁合金薄膜,其特征在于:包括由下至上依次设置的基片、镁合金薄膜材料层、催化层和保护层。 |
地址 |
200050 上海市长宁区定西路1295号 |