| 发明名称 | 半导体电阻结构及其形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种半导体电阻结构及其形成方法，所述结构包括：基底；第一掺杂类型的阱区，形成在所述基底内；栅介质层，至少部分位于所述阱区上；栅极，至少部分位于所述栅介质层上；第二掺杂类型的电阻体，形成在所述阱区内，所述电阻体的至少一部分位于所述栅极下方并由所述栅介质层隔开，所述第二掺杂类型与所述第一掺杂类型相反。本发明的半导体电阻结构结合了单晶体电阻和多晶体电阻的优点，并规避了二者的缺点，而且还具有电阻值可调的特点。 | ||
| 申请公布号 | CN104733446A | 申请公布日期 | 2015.06.24 |
| 申请号 | CN201510194672.5 | 申请日期 | 2015.04.22 |
| 申请人 | 杭州士兰集成电路有限公司 | 发明人 | 陈洪雷;闻永祥;王昊;苏兰娟 |
| 分类号 | H01L23/64(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/64(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 张振军 |
| 主权项 | 一种半导体电阻结构，其特征在于，包括：基底；第一掺杂类型的阱区，形成在所述基底内；栅介质层，至少部分位于所述阱区上；栅极，至少部分位于所述栅介质层上；第二掺杂类型的电阻体，形成在所述阱区内，所述电阻体的至少一部分位于所述栅极下方并由所述栅介质层隔开，所述第二掺杂类型与所述第一掺杂类型相反。 | ||
| 地址 | 310012 浙江省杭州市杭州经济技术开发区10号大街（东）308号 | ||