一种静电保护用晶闸管

摘要

本发明公开了一种静电保护用晶闸管，包括第一NMOS管M2、第二NMOS管M3，第一PMOS管M1、第二PMOS管M4，PNP管T₁，NPN管T₂，以及下拉电阻R_PWELL。本发明所述静电保护用晶闸管，可以克服现有技术中保护可靠性低、误操作率高和安全性差等缺陷，以实现保护可靠性高、误操作率低和安全性好的优点。

主权项

一种静电保护用晶闸管，其特征在于，包括第一NMOS管M2、第二NMOS管M3，第一PMOS管M1、第二PMOS管M4，PNP管T₁，NPN管T₂，以及下拉电阻R_PWELL；其中：所述PNP管T₁的发射极作为该静电保护用晶闸管的阳极Anode，PNP管T₁的发射极分别与第一PMOS管M1的源极和第二PMOS管M4的源极连接；PNP管T₁的基极分别与第一PMOS管M1的漏极、第一NMOS管M2的源极、第二PMOS管M4的栅极和NPN管T₂的集电极连接；PNP管T₁的集电极分别与第二PMOS管M4的漏极和NPN管T₂的基极连接；所述NPN管T₂的基极通过下拉电阻R_PWELL后作为该静电保护用晶闸管的阴极Cathode，NPN管T₂的基极通过下拉电阻R_PWELL后还与第二NMOS管M3的漏极连接；所述第一PMOS管M1的栅极分别与第一NMOS管M2的栅极、第二NMOS管M3的栅极和第二NMOS管M3的漏极连接；第一NMOS管M2的漏极和第二NMOS管M3的源极连接。