发明名称 |
电阻式存储器及其制造方法 |
摘要 |
本发明提供一种电阻式存储器及其制造方法,该存储器包括一基底;一堆叠,该堆叠包括第一绝缘层、第一电极、及第二绝缘层;电阻转态层,顺应性覆盖于该堆叠与该基底上;多个第二电极对,上述第二电极对各具有两个第二电极,分别顺应性覆盖于电阻转态层的相反侧壁及相反边的基底上;第一接触插塞,设于多个第二电极对之间且电连接第一电极;以及多个第二接触插塞,分别电连接上述各第二电极。通过本发明可缩小电阻式存储器中元件的面积并增加存储器的容量。 |
申请公布号 |
CN104733608A |
申请公布日期 |
2015.06.24 |
申请号 |
CN201310699111.1 |
申请日期 |
2013.12.18 |
申请人 |
华邦电子股份有限公司 |
发明人 |
蔡耀庭 |
分类号 |
H01L45/00(2006.01)I;H01L27/24(2006.01)I |
主分类号 |
H01L45/00(2006.01)I |
代理机构 |
北京三友知识产权代理有限公司 11127 |
代理人 |
汤在彦 |
主权项 |
一种电阻式存储器,其特征在于,所述电阻式存储器包括:一基底;一堆叠,包括:一第一绝缘层,设于该基底上;一第一电极,设于该第一绝缘层上;及一第二绝缘层,设于该第一电极上;一电阻转态层,顺应性覆盖于该堆叠与该基底上;多个第二电极对,上述第二电极对各具有两个第二电极,分别顺应性覆盖于该电阻转态层的相反侧壁及相反边的该基底上;一第一接触插塞,设于该多个第二电极对之间且电连接该第一电极;以及多个第二接触插塞,分别电连接上述各第二电极。 |
地址 |
中国台湾台中市 |