发明名称 电阻式存储器及其制造方法
摘要 本发明提供一种电阻式存储器及其制造方法,该存储器包括一基底;一堆叠,该堆叠包括第一绝缘层、第一电极、及第二绝缘层;电阻转态层,顺应性覆盖于该堆叠与该基底上;多个第二电极对,上述第二电极对各具有两个第二电极,分别顺应性覆盖于电阻转态层的相反侧壁及相反边的基底上;第一接触插塞,设于多个第二电极对之间且电连接第一电极;以及多个第二接触插塞,分别电连接上述各第二电极。通过本发明可缩小电阻式存储器中元件的面积并增加存储器的容量。
申请公布号 CN104733608A 申请公布日期 2015.06.24
申请号 CN201310699111.1 申请日期 2013.12.18
申请人 华邦电子股份有限公司 发明人 蔡耀庭
分类号 H01L45/00(2006.01)I;H01L27/24(2006.01)I 主分类号 H01L45/00(2006.01)I
代理机构 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人 汤在彦
主权项 一种电阻式存储器,其特征在于,所述电阻式存储器包括:一基底;一堆叠,包括:一第一绝缘层,设于该基底上;一第一电极,设于该第一绝缘层上;及一第二绝缘层,设于该第一电极上;一电阻转态层,顺应性覆盖于该堆叠与该基底上;多个第二电极对,上述第二电极对各具有两个第二电极,分别顺应性覆盖于该电阻转态层的相反侧壁及相反边的该基底上;一第一接触插塞,设于该多个第二电极对之间且电连接该第一电极;以及多个第二接触插塞,分别电连接上述各第二电极。
地址 中国台湾台中市