发明名称 化学气相沉积制备正交相MoO<sub>3</sub>单晶纳米片方法
摘要 本发明涉及化学气相沉积制备正交相MoO<sub>3</sub>单晶纳米片方法。本发明对石英衬底清洗处理,先后放入丙酮、乙醇和去离子水中超声清洗,后用氮气吹干,取MoS<sub>2</sub>粉末0.2-0.5g放入陶瓷舟里,将其放在管式炉石英管中,将石英衬底放置在装有原料的陶瓷舟的下风口,封闭管式炉,通氩气冲洗管式炉,清洗完毕后,通入氩气和氧气的混合气体,打开真空机械泵,开启管式炉升温程序,使温度上升,然后自然降温,待冷却至室温,取出样品,石英衬底上生长了白色产物,即为单晶MoO<sub>3</sub>纳米片。本发明克服了湿化学剥离、微波法、水热法各自存在的缺陷。本发明扩展了α-MoO<sub>3</sub>纳米晶的制备技术;合成工艺简单、易控,使用原料和设备单一、便宜,制备流程安全无毒,快速高效;所得样品产率高。
申请公布号 CN104726936A 申请公布日期 2015.06.24
申请号 CN201510147968.1 申请日期 2015.03.27
申请人 扬州大学 发明人 许小勇;周钢;冯兵;王亚丽;包志佳;胡经国
分类号 C30B29/16(2006.01)I;C30B29/64(2006.01)I;C30B25/00(2006.01)I 主分类号 C30B29/16(2006.01)I
代理机构 南京中新达专利代理有限公司 32226 代理人 孙鸥;朱杰
主权项 化学气相沉积制备正交相MoO<sub>3</sub>单晶纳米片方法,其特征在于步骤如下:(1)对石英衬底进行表面清洗处理:先后放入丙酮、乙醇和去离子水中超声清洗,取出后用氮气吹干;(2)取MoS<sub>2</sub>粉末0.2‑0.5g作为原料放入陶瓷舟里,将其放在管式炉石英管中,将清洗过的石英衬底放置在装有原料的陶瓷舟的下风口;(3)封闭管式炉,通氩气冲洗管式炉;(4)清洗完毕后,通入氩气和氧气的混合气体,打开真空机械泵;(5)开启管式炉升温程序,使温度上升,然后自然降温,待冷却至室温,取出样品,石英衬底上生长了白色产物,即为单晶MoO<sub>3</sub>纳米片。
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