| 发明名称 | 半导体发光元件 | ||
| 摘要 | 半导体发光元件包括：由GaN形成的衬底(11)；设置在衬底(11)上方的第一包覆层(12)；设置在第一包覆层(12)上方的量子阱有源层(13)；设置在量子阱有源层(13)上方的第二包覆层(14)；以及设置在衬底(11)与第一包覆层(12)之间的第一折射率修正层(15)。第一折射率修正层包括In<sub>1-x-y</sub>Al<sub>y</sub>Ga<sub>x</sub>N(x+y＜1)层，x和y满足关系式x/1.05+y/0.69＞1、x/1.13+y/0.49＞1或x/1.54+y/0.24＞1，并且满足x/0.91+y/0.75≥1和x/1.08+y/0.91≤1。 | ||
| 申请公布号 | CN104737393A | 申请公布日期 | 2015.06.24 |
| 申请号 | CN201380052323.9 | 申请日期 | 2013.04.15 |
| 申请人 | 松下知识产权经营株式会社 | 发明人 | 高山彻 |
| 分类号 | H01S5/20(2006.01)I;H01S5/343(2006.01)I | 主分类号 | H01S5/20(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 韩聪 |
| 主权项 | 一种半导体发光元件，其特征在于：包括：由GaN形成的衬底，设置在上述衬底上方的由In<sub>1‑n1‑n2</sub>Al<sub>n2</sub>Ga<sub>n1</sub>N形成的第一导电型的第一包覆层，其中，0＜n1＜1，0≤n2＜1，n1+n2≤1，设置在上述第一包覆层上方的量子阱有源层，设置在上述量子阱有源层上方的由In<sub>1‑m1‑m2</sub>Al<sub>m2</sub>Ga<sub>m1</sub>N形成的第二导电型的第二包覆层，其中，0＜m1＜1，0＜m2＜1，m1+m2≤1，以及设置在上述衬底与上述第一包覆层之间的第一导电型的第一折射率修正层，上述第一折射率修正层包括In<sub>1‑x‑y</sub>Al<sub>y</sub>Ga<sub>x</sub>N层，其中，x+y＜1，上述x和上述y满足关系式x/1.05+y/0.69＞1、x/0.91+y/0.75≥1以及x/1.08+y/0.91≤1，上述量子阱有源层发出的光的波长在430nm以上。 | ||
| 地址 | 日本国大阪府 | ||