| 发明名称 | 用以将LDMOS漏极延伸部与槽沟对准的方案 | ||
| 摘要 | 本申请案涉及用以将LDMOS漏极延伸部与槽沟对准的方案。一种集成电路(200)含有延伸漏极MOS晶体管，其中扩散漏极(236)在所述漏极中的场氧化物元件(254)下方的深度比在栅极(260)下方的漂移区(248)中深。一种形成含有延伸漏极MOS晶体管的集成电路(200)的过程，其包含：蚀刻场氧化物硬掩模层以界定漏极场氧化物沟槽区域，穿过所述漏极场氧化物沟槽区域植入漏极掺杂剂，执行热漏极驱动及随后形成所述漏极场氧化物元件。一种形成含有延伸漏极MOS晶体管的集成电路的过程，其包含：蚀刻场氧化物硬掩模层以界定漏极场氧化物沟槽区域，在使用场氧化物光致抗蚀剂图案掩蔽漏极植入物的同时穿过所述漏极场氧化物沟槽区域植入漏极掺杂剂，执行热漏极驱动及随后形成所述漏极场氧化物元件。 | ||
| 申请公布号 | CN104733455A | 申请公布日期 | 2015.06.24 |
| 申请号 | CN201410804457.8 | 申请日期 | 2014.12.19 |
| 申请人 | 德州仪器公司 | 发明人 | 赛特拉曼·西达尔 |
| 分类号 | H01L27/02(2006.01)I;H01L21/77(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人 | 路勇 |
| 主权项 | 一种含有延伸漏极金属氧化物半导体MOS晶体管的集成电路，其包括：漏极场氧化物元件，其在所述延伸漏极MOS晶体管的扩散漏极区中，使得所述扩散漏极区在所述漏极场氧化物元件下面延伸且连接到在所述延伸漏极MOS晶体管的栅极下方的漂移区；且所述扩散漏极区在所述漏极场氧化物元件下方从所述集成电路的衬底的顶部表面起的平均深度比所述扩散漏极区在所述漂移区中的平均深度深至少50纳米。 | ||
| 地址 | 美国德克萨斯州 | ||