一种金属电极制造装置

摘要

本实用新型提出了一种金属电极制造装置，装置包括由下至上依次设置的载片台(1)、盖板(4)和固定件(5)，载片台(1)中心设有方形孔，金属掩膜罩(2)跨放在所述方形孔上；位于金属掩膜罩(2)上方的所述盖板(4)纵剖面为延长的倒置凹槽，其两端的凸块支撑在载片件上；硅片上设有芯片，芯片的发射极为厚金属电极，金属掩膜罩(2)依据芯片的发射极的形状制备。该金属电极制造装置，金属通过金属掩膜罩的窗口到达硅片表面，在指定的区域淀积形成厚金属电极，减少了一次光刻和一次金属刻蚀工艺，缩短了加工周期，降低了生成成本。

主权项

一种金属电极制造装置，装置包括由下至上依次设置的载片台(1)、盖板(4)和固定件(5)，其特征在于：所述载片台(1)中心设有方形孔，金属掩膜罩(2)跨放在所述方形孔上；位于金属掩膜罩(2)上方的所述盖板(4)纵剖面为延长的倒置凹槽，其两端的凸块支撑在所述载片件上；硅片上设有芯片，所述芯片包括元胞区、终端区和焊盘区；所述元胞区、终端区和焊盘区均包括N型衬底设置在N型衬底表面并行排列的场氧化层和栅氧化层、在场氧化层和栅氧化层的表面覆盖有多晶硅层、在所述多晶硅层的表面覆盖有层间介质ILD，在层间介质ILD的表面覆盖有金属电极所述金属电极包括沟槽形状的沟槽发射极，所述发射极为厚金属电极，所述金属掩膜罩(2)依据所述芯片的发射极的形状制备。