| 发明名称 | 切割/芯片接合薄膜、半导体装置的制造方法以及半导体装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供切割/芯片接合薄膜、半导体装置的制造方法以及半导体装置，具体来说，提供一种即使具备包埋用粘接薄膜也能够实现期望切割的切割/芯片接合薄膜和使用其的半导体装置的制造方法、以及利用该制造方法得到的半导体装置。本发明是一种切割/芯片接合薄膜，其具备：具有基材和在该基材上形成的粘合剂层的切割薄膜、以及层叠在前述粘合剂层上的粘接薄膜，前述粘接薄膜是用于包埋被固定在被粘物上的第一半导体元件并将与该第一半导体元件不同的第二半导体元件固定于被粘物的粘接薄膜，前述粘接薄膜与前述粘合剂层之间的剥离力为0.03N/20mm以上且0.2N/20mm以下。 | ||
| 申请公布号 | CN104733400A | 申请公布日期 | 2015.06.24 |
| 申请号 | CN201410818508.2 | 申请日期 | 2014.12.24 |
| 申请人 | 日东电工株式会社 | 发明人 | 宍户雄一郎;三隅贞仁;大西谦司 |
| 分类号 | H01L23/29(2006.01)I;H01L21/56(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/29(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人 | 刘新宇;李茂家 |
| 主权项 | 一种切割/芯片接合薄膜，其具备：具有基材和在该基材上形成的粘合剂层的切割薄膜、以及层叠在所述粘合剂层上的粘接薄膜，所述粘接薄膜是用于包埋被固定在被粘物上的第一半导体元件并将与该第一半导体元件不同的第二半导体元件固定于被粘物的粘接薄膜，所述粘接薄膜与所述粘合剂层之间的剥离力为0.03N/20mm以上且0.2N/20mm以下。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||