发明名称 多結晶シリコンの清浄化方法
摘要 Polysilicon fragments are purified to remove metal contaminates by contacting the fragments with a purifying liquid at a flow rate >100 mm/sec. Effective removal without abrasion is accomplished.
申请公布号 JP5738592(B2) 申请公布日期 2015.06.24
申请号 JP20100522294 申请日期 2008.08.08
申请人 发明人
分类号 B08B3/02;B08B3/04 主分类号 B08B3/02
代理机构 代理人
主权项
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