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发明名称
多結晶シリコンの清浄化方法
摘要
Polysilicon fragments are purified to remove metal contaminates by contacting the fragments with a purifying liquid at a flow rate >100 mm/sec. Effective removal without abrasion is accomplished.
申请公布号
JP5738592(B2)
申请公布日期
2015.06.24
申请号
JP20100522294
申请日期
2008.08.08
申请人
发明人
分类号
B08B3/02;B08B3/04
主分类号
B08B3/02
代理机构
代理人
主权项
地址
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