发明名称 |
Dual-mode heterostructure of the optically-pumped semiconductor laser |
摘要 |
Przedmiotem wynalazku jest dwumodowa heterostruktura lasera półprzewodnikowego pompowanego optycznie umożliwiająca efektywne przełączanie emisji na dwu długościach fali. Heterostruktura posiada osadzone na półprzewodnikowym podłożu zwierciadło Bragga i wnękę rezonansową z co najmniej jedną warstwą będącą jamą kwantową i emituje promieniowanie na długości fali ?1 w temperaturze T1 i na długości fali ?2 w temperaturze T2. W heterostrukturze tej grubość warstwy (1) oddzielającej warstwę (2) będącą jamą kwantową wnęki rezonansowej (6) od ostatniej warstwy zwierciadła Bragga (3) i grubość warstwy (4) oddzielającej warstwę (2), od warstwy (5) ograniczającej wnękę rezonansową (6) od strony powietrza wynosi od 105% do 115% grubości odpowiadającej połowie długości fali rezonansowej zwierciadła. |
申请公布号 |
PL406581(A1) |
申请公布日期 |
2015.06.22 |
申请号 |
PL20130406581 |
申请日期 |
2013.12.18 |
申请人 |
INSTYTUT TECHNOLOGII ELEKTRONOWEJ |
发明人 |
MUSZALSKI JAN;BRODA ARTUR;WÓJCIK-JEDLI&Nacute,SKA ANNA;TRAJNEROWICZ ARTUR |
分类号 |
H01S3/00;H01S5/00;H01S5/10;H01S5/12;H01S5/125;H01S5/20 |
主分类号 |
H01S3/00 |
代理机构 |
|
代理人 |
|
主权项 |
|
地址 |
|