发明名称 | 高均匀化学气相沉积镀膜连续镀制装置 | ||
摘要 | |||
申请公布号 | TWM503419 | 申请公布日期 | 2015.06.21 |
申请号 | TW104204699 | 申请日期 | 2015.03.27 |
申请人 | 财团法人金属工业研究发展中心 | 发明人 | 卓廷彬;郭文正;许恭铭;杨济华;伏和中 |
分类号 | C23C16/54;C23C16/52 | 主分类号 | C23C16/54 |
代理机构 | 代理人 | 高玉骏 台北市松山区南京东路3段248号7楼;杨祺雄 台北市松山区南京东路3段248号7楼 | |
主权项 | 一种高均匀化学气相沉积镀膜连续镀制装置,包含:一输送单元,用以输送一待镀物沿一预定路径移动;一沉积单元,包括一位于该预定路径上以在该待镀物上沉积一镀附物的沉积舱、一连通该沉积舱的原料裂解舱、一连通该原料裂解舱的原料加热舱、一用以侦测该沉积舱之压力的压力侦测器,及一受该压力侦测器控制以调整该原料加热舱之温度的温度控制器;一冷凝单元,包括一连通该沉积舱的入口冷凝机构,及一连通该沉积舱的出口冷凝机构,该入口冷凝机构与该出口冷凝机构分别位于该沉积舱的两相反侧,且能受控制地将温度控制在一可防止该镀附物逸散的冷凝温度;及该输送单元是带动该待镀物依序经该入口冷凝机构、该沉积舱与该出口冷凝机构以在该待镀物上沉积该镀附物。 | ||
地址 | 高雄市楠梓区高楠公路1001号 |