相变化记忆体结构及方法

主权项

一种形成一记忆体结构之方法，其包含：形成数个记忆体结构区域，其中该等记忆体结构区域包括一底部电极材料及一牺牲材料；在该数个记忆体结构区域之间形成数个绝缘体区域；藉由移除该牺牲材料及该数个绝缘体区域之一部分来在该数个绝缘体区域之间形成数个开口且在该数个绝缘体区域上形成一吻合轮廓之表面；在该数个绝缘体区域之该吻合轮廓之表面上形成数个介电隔片，其中该数个介电隔片具有一吻合轮廓之表面；藉由移除该数个介电隔片之一部分来在该数个绝缘体区域之间形成一吻合轮廓之开口且曝露该底部电极材料；及在该数个绝缘体区域之间的该开口中形成一相变化材料，其中接近于该数个介电隔片之一下部分之该相变化材料之一宽度系小于接近于该数个介电隔片之一上部分之该相变化材料之一宽度。