| 主权项 |
一种制造半导体装置的方法，包括：提供一半导体基底，其具有一第一区域和一第二区域；形成一高介电常数介电层于该半导体基底之上；形成一矽层该高介电常数介电层之上；形成一硬遮罩层于该矽层之上；图案化该硬遮罩层、该矽层、该高介电常数介电层以形成一第一闸极结构于该第一区域上和一第二闸极结构于该第二区域上；形成一接触蚀刻终止层于该第一和该第二闸极结构之上；修饰该接触蚀刻终止层的一轮廓，使得在该第一和第二闸极结构所测得的间隙变得更大；形成一层间介电层于修饰后的该接触蚀刻终止层之上；实施一化学机械研磨以分别地露出该第一和第二闸极结构的该矽层；以及分别地自该第一和第二闸极结构移除该矽层，并将其取代以金属闸极结构。
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