发明名称 |
太阳电池用晶圆、太阳电池用晶圆的制造方法、太阳电池单元的制造方法、以及太阳电池模组的制造方法 |
摘要 |
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申请公布号 |
TWI489639 |
申请公布日期 |
2015.06.21 |
申请号 |
TW101134917 |
申请日期 |
2012.09.24 |
申请人 |
胜高股份有限公司 |
发明人 |
奥内茂 |
分类号 |
H01L31/0352;H01L31/18;H01L31/042 |
主分类号 |
H01L31/0352 |
代理机构 |
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代理人 |
詹铭文 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1 |
主权项 |
一种太阳电池用晶圆,其为由利用固定磨粒线切断的多晶半导体晶圆而制造、且为酸纹理处理前的太阳电池用晶圆,其特征在于:在上述太阳电池用晶圆的至少单面的表面,无非晶层、且残存由上述固定磨粒线的切断而引起的凹凸。
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地址 |
日本 |