发明名称 太阳电池用晶圆、太阳电池用晶圆的制造方法、太阳电池单元的制造方法、以及太阳电池模组的制造方法
摘要
申请公布号 TWI489639 申请公布日期 2015.06.21
申请号 TW101134917 申请日期 2012.09.24
申请人 胜高股份有限公司 发明人 奥内茂
分类号 H01L31/0352;H01L31/18;H01L31/042 主分类号 H01L31/0352
代理机构 代理人 詹铭文 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1
主权项 一种太阳电池用晶圆,其为由利用固定磨粒线切断的多晶半导体晶圆而制造、且为酸纹理处理前的太阳电池用晶圆,其特征在于:在上述太阳电池用晶圆的至少单面的表面,无非晶层、且残存由上述固定磨粒线的切断而引起的凹凸。
地址 日本