相位改变记忆装置

主权项

一种相位改变记忆装置，其包含一记忆格，以使该装置系经组态以在该记忆格内执行一写入验证功能，其中该相位改变记忆装置系经组态以在该记忆格中写入一第一状态位准资料或一第二状态位准资料，因而当写入该第一状态位准资料时，则该装置系经组态以如一第一电压位准执行一验证读取功能，且当写入该第二状态位准资料时，则该装置系经组态以如一第二电压位准执行该验证读取功能，其中该第一电压位准高于一参考电压，且该第二电压位准低于该参考电压。