| 主权项 |
一种半导体堆叠结构之制法，系包括：提供一具有相对之第一表面与第二表面之晶圆，该晶圆之第一表面具有复数电性接触垫；将该晶圆藉其第一表面设置于一第一承载件上；形成复数盲孔于该晶圆之第二表面上，以令该些电性接触垫对应外露出各该盲孔；由该晶圆之第二表面切割该晶圆，以形成复数晶片；将各该晶片由该第一承载件移至一设有复数定位部之第二承载件上，且该晶片之第二表面设置于该第二承载件上，以外露该晶片之第一表面，并令该些定位部对应位于各该晶片之间，使各该晶片之间具有间距；提供表面具有复数坝块之基板，以将各该晶片第一表面上之电性接触垫对应各该坝块，使各该晶片其第一表面结合于该基板上；移除该第二承载件及该些定位部；形成隔离层于各该晶片之第二表面、盲孔之孔壁与各该晶片之侧面上，且该电性接触垫外露出该盲孔；形成线路重布层于各该晶片之第二表面上之部分隔离层上，且形成导电盲孔于该盲孔中，以藉该导电盲孔电性连接该线路重布层与该电性接触垫；形成保护层于各该晶片之第二表面上之隔离层与
该线路重布层上；以及沿各该晶片之间的间距切割该基板，以形成复数该半导体堆叠结构。
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