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<p>Verfahren zum Wachsen eines Siliziumkarbideinkristalls auf einem Siliziumkarbideinkristallsubstrat durch in Kontakt bringen des Substrats mit einer C enthaltenden Lösung, die durch Erwärmen und Schmelzen von Si in einem Graphittiegel sowie Auflösen von C von dem Graphittiegel in der Si enthaltenden Schmelze präpariert wird, mit den Schritten: Präparieren der C enthaltenden Lösung durch Auflösen von C in der Schmelze, die Cr und X enthält, wobei X zumindest aus einem Element der Gruppe Sn, In und Ga besteht, derart, dass ein Verhältnis von Cr in einer Gesamtzusammensetzung der Schmelze in einem Bereich von 30 bis 70 at.% liegt, und ein Verhältnis von X in der Gesamtzusammensetzung der Schmelze in einem Bereich von 1 bis 25 at.% liegt; und Wachsen des Siliziumkarbideinkristalls von der Lösung.</p> |
