| 摘要 |
<p>Ein Siliziumcarbidhalbleitersubstrat ist aus einem Siliziumcarbideinkristall gefertigt und mit einer Markierung (2) an wenigstens einer Oberfläche ausgebildet, welche als ein Kristalldefekt ausgeformt ist und eine Identifizierungsanzeige ist. Wenn ein Siliziumcarbideinkristall (3) unter Verwendung des Siliziumcarbidhalbleitersubstrats als Impfkristall gezüchtet wird, kann die Markierung (2) in dem Siliziumcarbideinkristall (3) als ein Kristalldefekt weitergeführt werden. Wenn Siliziumcarbidhalbleitersubstrate (4) unter Verwendung des Siliziumcarbideinkristalls (3) hergestellt werden, ist die Markierung (2) bereits auf jedem der Siliziumcarbidhalbleitersubstrate (4) ausgebildet.</p> |
