Ermittlung eines Wärmekennwerts eines in einem elektronischen Gerät angeordneten Feldeffekttransistors

摘要

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Ermittlung wenigstens eines Wärmekennwerts eines in einem elektronischen Gerät (1) angeordneten Feldeffekttransistors (H1, H2, H3, L1, L2, L3), der über äußere Gerätanschlüsse (A1 bis A5) des elektronischen Gerätes (1) bestrombar und zur Messung einer an der Bodydiode (15) anliegenden Vorwärtsspannung (UD) elektrisch kontaktierbar ist. Dabei wird der Feldeffekttransistor (H1, H2, H3, L1, L2, L3) abgeschaltet und eine Bodydiode (15) des Feldeffekttransistors (H1, H2, H3, L1, L2, L3) wird während eines Heizzeitintervalls (∆t) mit einem Heizstrom (IH) und vor und nach dem Heizzeitintervall (∆t) mit einem Messstrom (IM) in Durchlassrichtung bestromt. Vor dem Beginn des Heizzeitintervalls (∆t), in dem Heizzeitintervall (∆t) und nach dem Ende des Heizzeitintervalls (∆t) wird jeweils wenigstens eine an der Bodydiode (15) anliegende Vorwärtsspannung (UD) gemessen. Die Wärmekennwerte des Feldeffekttransistors (H1, H2, H3, L1, L2, L3) werden aus den gemessenen Vorwärtsspannungen (UD) und dem Heizstrom (IH) ermittelt.