| 摘要 |
<p>Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements (100–500), umfassend: Bereitstellen eines Trägers (15), Bereitstellen eines Halbleiterchips (14) mit einer ersten Fläche (11) und einer der ersten Fläche (11) gegenüberliegenden zweiten Fläche (12), wobei eine Paste (30), die Metallteilchen (13) umfasst, auf den Träger (15) und/oder die erste Fläche (11) des Halbleiterchips (14) aufgetragen wird, Platzieren des Halbleiterchips (14) über dem Träger (15), wobei die erste Fläche (11) dem Träger (15) zugewandt ist, und Anlegen einer Spannung zwischen der zweiten Fläche (12) des Halbleiterchips (14) und dem Träger (15) zum Anbringen des Halbleiterchips (14) an dem Träger (15), wobei die Spannung derart eingestellt wird, dass die Metallteilchen (13) gesintert werden.</p> |
