Waferträger, Reaktor und Verfahren zur Temperaturmessung

摘要

Es wird ein Waferträger (1), der für einen Epitaxieprozess zur Herstellung von Halbleiterbauelementen vorgesehen ist, mit einem Grundkörper (2) und einer auf dem Grundkörper aufgebrachten Beschichtung (3) angegeben, wobei die Beschichtung (3) Bornitrid enthält. Des Weiteren werden ein Reaktor, der stellenweise mit Bornitrid beschichtet ist, sowie ein Verfahren zur Messung von Temperaturen während eines Epitaxieprozesses angegeben, wobei die Temperatur an einer mit Bornitrid beschichteten Messstelle gemessen wird.