双栅双极石墨烯场效应晶体管及其制作方法

摘要

本发明提供一种双栅双极石墨烯场效应晶体管及其制作方法，包括：提供半导体衬底； 在半导体衬底的正面形成石墨烯沟道层；在石墨烯沟道层上形成源电极及漏电极；去除源电极及漏电极外围的石墨烯沟道层；对石墨烯沟道层进行表面功能化处理或等离子体物理吸附；形成高k栅介质层；在源电极及漏电极之间的高k栅介质层上形成第一栅电极；在半导体衬底的背面形成第二栅电极。直接将石墨烯附着于所需的衬底上，无需进行繁琐的转移，避免了对石墨烯结构造成破坏和杂质污染；该方法制备的双栅双极石墨烯场效应晶体管具备更加优异的开断性能，更高的载流子迁移率以及更小的栅漏电流；工艺流程简单，成本经济，适合基于石墨烯场效应晶体管的大规模生产。

主权项

一种双栅双极石墨烯场效应晶体管，其特征在于，所述双栅双极石墨烯场效应晶体管包括：半导体衬底；石墨烯沟道层，位于所述半导体衬底的正面；源电极及漏电极，间隔地分布于所述石墨烯沟道层上；高k栅介质层，覆盖于所述半导体衬底正面、石墨烯沟道层、源电极及漏电极裸露的表面上；第一栅电极，位于所述源电极及漏电极之间的所述高k栅介质层上；第二栅电极，位于所述半导体衬底的背面。