| 发明名称 | SONOS存储器的结构及制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种SONOS存储器的制造方法，步骤包括：1）在硅衬底上依次生长底层氧化膜、氮化硅、薄多晶硅和顶层氧化膜；2）在顶层氧化膜上刻蚀出窗口；3）生长一层薄氧化硅，形成擦除窗口；4）淀积控制栅极多晶硅；5）形成控制栅极和栅极隔离侧墙，并进行轻掺杂源漏注入和源漏注入，完成SONOS存储器的制作。本发明还公开了用上述方法制造的SONOS存储器的结构，该SONOS存储器的顶层氧化膜上开有擦除窗口。本发明通过多晶硅自氧化技术，制备浮栅顶部氧化层，使SONOS存储器的信息写入与擦除分别通过浮栅底层和顶层的不同氧化层进行，从而在不降低器件的擦写速度的条件下，改善了器件写入和擦除反复操作的可靠性。 | ||
| 申请公布号 | CN104716204A | 申请公布日期 | 2015.06.17 |
| 申请号 | CN201310689298.7 | 申请日期 | 2013.12.16 |
| 申请人 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 刘冬华;钱文生;石晶 |
| 分类号 | H01L29/792(2006.01)I;H01L27/115(2006.01)I;H01L21/8247(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/792(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人 | 丁纪铁 |
| 主权项 | SONOS存储器的制造方法，其特征在于，步骤包括：1）在硅衬底上依次生长底层氧化膜、氮化硅、薄多晶硅和顶层氧化膜；2）在顶层氧化膜上刻蚀出窗口；3）生长一层薄氧化硅，形成擦除窗口；4）淀积控制栅极多晶硅；5）用常规工艺刻蚀形成控制栅极，然后形成栅极隔离侧墙，并进行轻掺杂源漏注入和源漏注入，完成SONOS存储器的制作。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号 | ||