| 发明名称 | 一种半导体器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体器件的制造方法，包括：提供一个半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有栅极结构以及紧靠栅极结构的间隙壁结构，且在所述间隙壁结构两侧的源/漏区中以及所述栅极结构的顶部形成有金属硅化物层；对所述半导体衬底进行氧化，在所述金属硅化物层上形成一薄氧化物层；去除所述间隙壁结构。根据本发明，可以有效保护金属硅化物层（尤其是NiSi层）和Si衬底不受H<sub>3</sub>PO<sub>4</sub>腐蚀液的破坏，使得后续的欧姆接触的实施不受影响。 | ||
| 申请公布号 | CN102956474B | 申请公布日期 | 2015.06.17 |
| 申请号 | CN201110239224.4 | 申请日期 | 2011.08.19 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 韩秋华;李超伟 |
| 分类号 | H01L21/316(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/316(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人 | 董巍;顾珊 |
| 主权项 | 一种半导体器件的制造方法，包括：提供一个半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有栅极结构以及紧靠栅极结构的间隙壁结构，且在所述间隙壁结构两侧的源/漏区中以及所述栅极结构的顶部形成有金属硅化物层；将所述半导体衬底浸入氧化剂中进行氧化，以在所述金属硅化物层上形成一薄氧化物层；去除所述间隙壁结构。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||