半导体加工设备

摘要

本实用新型公开了一种半导体加工设备，它涉及。包括气体入口、反应腔、静电屏蔽装置、RF线圈、基片和温度控制器，反应腔顶部设置有气体入口，反应腔内设置有静电屏蔽装置，静电屏蔽装置上绕有RF线圈，静电屏蔽装置与RF电源连接形成电磁场，电磁场下方设置有基片，基片设置在温度控制器上，温度控制器接分子泵。本实用新型结构简单，采用双射频电源，实现了离子浓度和离子轰击强度分开控制，使刻蚀速率、选择比、均匀性都得到提高。

主权项

半导体加工设备，其特征在于，包括气体入口(1)、反应腔(2)、静电屏蔽装置(3)、RF线圈(4)、基片(5)和温度控制器(6)，反应腔(2)顶部设置有气体入口(1)，反应腔(2)内设置有静电屏蔽装置(3)，静电屏蔽装置(3)上绕有RF线圈(4)，静电屏蔽装置(3)与RF电源连接形成电磁场，电磁场下方设置有基片(5)，基片(5)设置在温度控制器(6)上，温度控制器(6)接分子泵。