| 发明名称 | 半导体结构 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种绝缘隐埋层中有带电区的衬底。本发明特别涉及一种半导体结构，包括：连续包括基底晶片（1）、绝缘层（2）和半导体顶层（3）的衬底，所述半导体顶层（3）上的图像传感器器件，所述半导体结构的特征在于，所述绝缘层（2）包括电荷密度的绝对值在10<sup>10</sup>电荷/cm<sup>2</sup>以上的区域。 | ||
| 申请公布号 | CN102983167B | 申请公布日期 | 2015.06.17 |
| 申请号 | CN201210480105.2 | 申请日期 | 2008.03.13 |
| 申请人 | SOITEC公司 | 发明人 | F·阿利贝尔;G·戈丹;F·拉勒芒;D·朗德吕;K·朗德里;M·沙欣;C·马聚 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/32(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人 | 程伟;王锦阳 |
| 主权项 | 一种半导体结构，包括：‑连续包括基底晶片(1)、绝缘层(2)和半导体顶层(3)的衬底，‑所述半导体顶层(3)上的图像传感器器件，所述半导体结构的特征在于，所述绝缘层(2)包括电荷密度的绝对值在10<sup>10</sup>电荷/cm<sup>2</sup>以上的区域，以及所述绝缘层(2)包括两个扩散阻挡层(6)之间的电荷限制层(5)，其中所述电荷限制层(5)的电荷密度的绝对值在10<sup>10</sup>电荷/cm<sup>2</sup>以上。 | ||
| 地址 | 法国贝尔尼 | ||