发明名称 | 增强型多电平存储器 | ||
摘要 | 本申请案涉及增强型多电平存储器。本文中所揭示的标的物涉及半导体存储器,且更特定来说,涉及多电平非易失性或易失性存储器。 | ||
申请公布号 | CN102254571B | 申请公布日期 | 2015.06.17 |
申请号 | CN201110136221.8 | 申请日期 | 2011.05.18 |
申请人 | 美光科技公司 | 发明人 | 马尔科·马卡罗内;吉多·洛马齐;伊拉里亚·莫塔 |
分类号 | G11C16/02(2006.01)I | 主分类号 | G11C16/02(2006.01)I |
代理机构 | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人 | 宋献涛 |
主权项 | 一种使用软决策及卷积解码确定数据状态的方法,所述方法包括:将状态存储于一个或多个多电平存储器单元中,所述存储状态包括根据卷积码来编码所述状态以提供代表所述状态的若干符号;使用软决策及卷积编码来确定所述经编码的状态,其中确定进一步包括:从所述多电平存储器单元中读取与所感测的阈值电压相关联的软决策;维持多组周期函数,其中每一组与所存储状态的不同的多个编程分布相关联,其中与特定的周期函数相关联的所存储的状态彼此之间是周期性的;将软决策与特定周期函数组相关联;以及至少部分地基于已遵循用于编码的最可能编码路径的计算从所述特定周期函数组中选择一编程分布。 | ||
地址 | 美国爱达荷州 |