| 摘要 |
<p>본 발명은, 산화물 반도체를 이용한 반도체 장치의 전기 특성의 변동을 억제하고, 신뢰성이 높은 반도체 장치를 제공하는 것을 과제로 한다. 산화물 반도체층의 하측에 제공된 하지 절연층 및 산화물 반도체층의 상측에 제공된 게이트 절연층으로부터 채널 형성 영역에 산소를 공급함으로써, 채널 영역에 형성될 수 있는 산소 결손을 보충한다. 또한, 산화물 반도체층에서 형성되는 채널 영역의 근방에서, 소스 전극층 또는 드레인 전극층에 의한 산화물 반도체층으로부터의 산소의 추출을 억제함으로써, 채널 영역에서의 산소 결손을 억제한다. 또한, 게이트 전극층 위에, 수소의 함유량이 낮고, 산소의 투과성이 낮은 배리어층으로서 기능하는 보호 절연층을 형성함으로써, 게이트 절연층 및/또는 하지 절연층으로부터의 산소의 이탈을 억제하여, 채널 형성 영역에 효과적으로 산소를 공급한다.</p> |
