Ｉ－ＩＩＩ－ＶＩ族化合物薄膜太阳能电池制造方法;A METHOD OF FABRICATING THIN FILM SOLAR CELL OF I-III-VI GROUP COMPOUNDS

摘要

本发明系提出一种I-III-VI族化合物薄膜太阳能电池制造方法，其中关于太阳能电池中之p-n接面的制造方法，其特征在于：系以物理气相沉积法制作制作一反应层薄膜，接着再以快速退火方法于p型半导体层上形成n型半导体层，此时该n型半导体层与p型半导体层间即具有一p-n接面特性。藉此制成之太阳能电池，可在生产线上达制程一贯性且免除化学水浴制程存在大量废液回收问题，同时对此制造方法因具备表面蚀刻效果，故可藉此达到缩减制程道次之优势来提高产能与降低成本，且其太阳能电池亦可维持优良之光电转换效率。