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发明名称
电阻式随机存取记忆体之写入缓冲器;WRITE BUFFER FOR RESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY
摘要
本申请案提供包含电流产生器与电压产生器的电路。在写入操作过程中,该电流产生器系用于产生预定电流,经由节点流至记忆体阵列中所选择的胞元。该电压产生器系用于产生预定电压。在该写入操作过程中,当该所选择的胞元在低电阻状态与高电阻状态之间切换时,该节点的电压位准被箝制为与该预定电压相关的预定值
申请公布号
TW201523610
申请公布日期
2015.06.16
申请号
TW103126138
申请日期
2014.07.31
申请人
台湾积体电路制造股份有限公司 TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人
池育德 CHIH, YUE DER;连秋旺 LIEN, CHIU WANG;李嘉富 LEE, CHIA FU
分类号
G11C13/00(2006.01);G11C16/02(2006.01)
主分类号
G11C13/00(2006.01)
代理机构
代理人
冯博生
主权项
地址
新竹市新竹科学工业园区力行六路8号 TW
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