发明名称 电阻式随机存取记忆体之写入缓冲器;WRITE BUFFER FOR RESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY
摘要 本申请案提供包含电流产生器与电压产生器的电路。在写入操作过程中,该电流产生器系用于产生预定电流,经由节点流至记忆体阵列中所选择的胞元。该电压产生器系用于产生预定电压。在该写入操作过程中,当该所选择的胞元在低电阻状态与高电阻状态之间切换时,该节点的电压位准被箝制为与该预定电压相关的预定值
申请公布号 TW201523610 申请公布日期 2015.06.16
申请号 TW103126138 申请日期 2014.07.31
申请人 台湾积体电路制造股份有限公司 TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD. 发明人 池育德 CHIH, YUE DER;连秋旺 LIEN, CHIU WANG;李嘉富 LEE, CHIA FU
分类号 G11C13/00(2006.01);G11C16/02(2006.01) 主分类号 G11C13/00(2006.01)
代理机构 代理人 冯博生
主权项
地址 新竹市新竹科学工业园区力行六路8号 TW