发明名称 |
ラピッドプロトタイピング方法を使用した超音波トランスデューサー製造 |
摘要 |
任意の数の特徴を含むことが可能な超音波治療システムが提供される。いくつかの実施形態では、カスタムトランスデューサーハウジングは、ラピッドプロトタイピング方法を使用して製造され、複数の単一エレメントの実質的に平坦なトランスデューサーを、共通の焦点を共有するように配置させる。ラピッドプロトタイピング方法は、例えば、熱溶解積層法、3Dプリンティング、およびステレオリソグラフィーを含むことが可能である。いくつかの実施形態では、治療システムは、トランスデューサーハウジングの開口部の中へ挿入可能な複数のトランスデューサーモジュールを含むことが可能である。それぞれのトランスデューサーモジュールは、音響レンズと、実質的に平坦な単一エレメントのトランスデューサーと、レンズとトランスデューサーとの間に配設されているマッチング層とを含むことが可能である。また、使用および製造する方法も説明されている。【選択図】図1A |
申请公布号 |
JP2015516233(A) |
申请公布日期 |
2015.06.11 |
申请号 |
JP20150510386 |
申请日期 |
2013.04.30 |
申请人 |
ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ ミシガン |
发明人 |
ホール,ティモシー・エル;マックスウェル,アダム;ケイン,チャールズ・エイ;キム,ヨハン;シュイ,ジェン |
分类号 |
A61B18/00;A61F7/00 |
主分类号 |
A61B18/00 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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